Memoriutama d. Memori cache 19. Berikut ini adalah jenis memori yang bersifat Volatile, kecuali : a. RAM c. Compact Disc c. Memori Cache d. Salah semua 20. Transfer data secara langsung antara memori dengan piranti I/O tanpa pengawasan dan pengendalian CPU, merupakan mode operasi I/O : a. Direct Memori Access b. I/O terprogram c. I/O interupsi by anto jv memory memory Pengertian -Volatile memory adalah memory yang datanya dapat ditulis dan dihapus ,tetapi hilang saat kehilangan power kondisi off dan membutuhkan catu daya dalam mempertahankan memory. Contoh RAM. RAM merupakan memori utama sebuah komputer, bertugas untuk menerima informasi kemudian menyimpannya untuk digunakan ketika dibutuhkan. Kegunaan RAM antara lain sebagai perangkat penyimpanan informasi sementara. Informasi yang terdapat di dalam RAM dapat diakses dalam waktu yang tetap serta tidak memperdulikan letak data tersebut. Memori Volatile -Non-volatile memory adalah memory yang datanya datanya dapat ditulis dan dihapus, tetapi data tetap ada walaupun dalam kondisi off dan tidak membutuhkan catu daya. Dikenal dengan temporary memory. Contoh ROM. ROM merupakan sebuah contoh dari Progammable Logic Device, yakni perangkat yang dapat diprogram untuk menyimpan informasi spesifik untuk perangkat keras komputer. Kebutuhan akan memori yang begitu tinggi telah membuat berbagai macam teknologi baru ditemukan. Salah satu jenis memori terbaru yang dikatakan oleh sebagian orang akan menjadi memori yang paling dominan dimasa depan adalah MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory. MRAM Magnetoresistive Random Access Memory merupakan sebuah non-volatile memori, menggunakan muatan magnet untuk menyimpan data dan bukan muatan listrik seperti pada SRAM atau DRAM. Kelebihan MRAM MRAM memiliki beberapa kelebihan dibandingkan memorimemori sebelumnya. Kelebihan-kelebihan itu antara lain • Teknologi MRAM dapat mempertahankan keberadaan data yang disimpan pada dirinya ketika supply energi dihentikan. non-volatile • Memiliki kecepatan tulis dan baca yang lebih cepat dibandingkan dengan teknologi lain termasuk Flash RAM dan EEPROM dan FLAS DISC NON-Volatile • Tidak seperti DRAM yang membutuhkan aliran listrik yang konstan untuk menjaga integritas data, MRAM hanya membutuhkan sedikit listrik untuk menyimpan data. • Memiliki densitas yang tidak kalah dengan DRAM Contoh v Volatile memory RAM; datanya hilang jika kondisi mati power off¬ ¬ DRAM DDR SDRM DRAM¬ SRAM¬ D-drive; volatile temporary¬ storage area yang direservasi dari RAM Non-volatile memory v ¬ ROM PROM¬ EPROM¬ EEPROM¬ E-drive; non-volatile¬ removable,writable memory card Z-drive; non-volatile,non writable¬ storage area Flash memory¬ ProgramKreativitas Mahasiswa adalah kegiatan untuk meningkatkan mutu peserta didik (mahasiswa) di perguruan tinggi agar kelak dapat menjadi anggota masyarakat yang memiliki kemampuan akademis dan/atau profesional yang dapat menerapkan, mengembangkan dan meyebarluaskan ilmu pengetahuan, teknologi dan/atau kesenian serta memperkaya budaya nasional. Dalam komputasi, memori adalah instrumen alias sistem yang digunakan cak bagi menyimpan kenyataan untuk penggunaan berbarengan dalam komputer atau peranti keras komputer dan peranti elektronik digital nan terkait.[1] Introduksi memori sering muradif dengan kata penyimpanan penting ataupun album utama. Dalam bahasa Inggris, padanan kata kuno memori adalah store .[2] Memori komputer beroperasi dengan kecepatan yang tinggi dibandingkan dengan penyimpanan yang lebih lambat doang memberikan kapasitas lebih besar. Seandainya diperlukan, isi memori komputer bisa ditransfer ke penyimpanan; mandu yang umum digunakan adalah melalui teknik manajemen memori yang dinamakan memori virtual. Sejarah maju diimplementasikan sebagai sejarah semikonduktor,[3] [4] dimana memori disimpan di intern sel rekaman nan dibangun semenjak transistor MOS dan onderdil tak internal sebuah arus terpadu.[5] Suka-suka dua varietas memori semikonduktor, yakni volatil and non-volatil. Contoh memori non-volatil adalah album flash dan album ROM, PROM, EPROM dan EEPROM. Pola memori volatil adalah memori akses acak dinamis DRAM, yang digunakan kerjakan penyimpanan penting, dan rekaman akses acak statik SRAM, nan digunakan untuk cache CPU. Sebagian ki akbar memori semikonduktor dibagi menjadi sel memori, sendirisendiri menggudangkan satu bit 0 atau 1. Organisasi memori flash termasuk sel yang mengandung satu bit dan tangsi multi-level, yang menyimpan beberapa bit per sengkeran. Rumah pasung memori dikelompokkan menjadi kata-kata dengan tangga perkenalan awal tetap, misalnya, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, atau 128 bit. Setiap kata bisa diakses dengan mangsa biner Tepi langit bit, sehingga memungkinkan untuk menyimpan 2Tepi langit prolog dalam sejarah. Memori [sunting sunting sumur] Detail belakang sebuah bagian ENIAC, membentangkan tabung vakum. Sreg awal 1940-an, teknologi memori hanya memiliki kapasitas sejumlah bit. Komputer digital elektronik yang bisa diprogram, ENIAC, menggunakan ribuan torak vakum, boleh melakukan runding sederhana dengan 20 angka dari 10 digit puluh yang disimpan intern tabung vakum. Kemajuan ki kenangan komputer jinjing berikutnya adalah memori akustik garis tunda, yang dikembangkan maka dari itu J. Presper Eckert pada awal 1940-an. Melampaui tabung beling nan diisi dengan merkuri dan ditutup dengan kristal kuarsa pada setiap ujungnya, garis tunda bisa menyimpan informasi bit intern buram gelombang elektronik suara miring yang memencar melalui merkuri, dengan batu belanda kuarsa sebagai transduser buat membaca dan menulis bit. Kapasitas memori garis tunda hanya setakat beberapa ribu bit. Pada 1946, dua alternatif garis tunda, tabung Williams dan tabung Selectron, muncul. Kedua-duanya menggunakan sinar elektron plong torak kaca umpama media penyimpanan. Menggunakan torak sinar katode, Fred Williams menciptakan torak William, rekaman akses acak pertama. Daya produksi tabung Williams lebih lautan daripada silinder Selectron Selectron saja bisa menyimpan sampai 256 bit; tabung Williams dapat menyimpan beribu-ribu bit dan bertambah murah. Namun, tabung Williams suntuk perasa terhadap godaan mileu. Memori non-volatil menginjak dicari pada penghabisan 1940-an. Sejarah inti magnetik memungkinkan pengingatan kembali memori setelah pemutusan listrik. Memori ini dikembangkan maka itu Frederick W. Viehe dan An Wang sreg penutup 1940-an, dan diperbaiki oleh Jay Forrester dan Jan A. Rajhman puas awal 1950-an, dan dikomersialkan oleh penggunaannya dalam komputer Whirlwind pada 1953.[6] Memori inti magnetik menjadi jenis dominan album sebatas pengembangan memori semikonduktor MOS plong 1960-an.[7] Memori semikonduktor pertama diimplementasikan sebagai sirkuit flip-flop pada mulanya 1960-an menggunakan transistor bipolar.[7] Memori semikonduktor yang dibuat dari perangkat diskrit pertama dikirim maka dari itu Texas Instruments kepada Bala Awan Amerika Serikat pada 1961. Pada periode yang setolok, konsep memori solid-state puas chip persebaran terpadu IC diusulkan maka itu operator tuntutan Bob Normal sreg Fairchild Semiconductor.[8] Chip memori semikonduktor bipolar mula-mula adalah SP95, dirilis oleh IBM pada 1965.[7] Walaupun rekaman semikonduktor kian cepat daripada memori inti magnetik, memori semikonduktor lagi makin besar dan kian mahal dan tidak mengganti memori inti magnetik sampai akhir 1960-an.[7] [9] Memori MOS [sunting sunting sumur] Penemuan MOSFET transistor efek-panggung semikonduktor besi-oksida bahasa Inggris logam–oxide–semiconductor field-effect transistor, maupun transistor MOS oleh Mohamed M. Atalla dan Dawon Kahng pada Bell Labs pada 1959,[5] memungkinkan eksploitasi umum transistor semikonduktor logam-oksida MOS sebagai unsur penyimpanan sel memori. Rekaman MOS dikembangkan maka itu John Schmidt puas Fairchild Semiconductor puas 1964.[10] [11] Selain lebih cepat, memori semikonduktor MOS lebih murah dan bertambah irit energi dibandingkan dengan memori inti magnetik.[10] Lega 1965, J. Wood dan R. Ball dari Buar Radar Establishment mengusulkan sistem penyimpanan digital yang memperalat sel ki kenangan CMOS MOS komplementer, bersama dengan perkakas listrik MOSFET, yang digunakan untuk catu sendi, pengalih kopling cabang, sakelar, dan penyimpanan garis tunda.[12] Pengembangan teknologi sirkuit terpadu MOS gerbang silikon MOS IC maka itu Federico Faggin di Fairchild pada 1968 memungkinkan produksi chip memori MOS.[13] Memori NMOS dikomersialkan oleh IBM lega awal 1970-an.[14] Sejarah MOS mewakili memori inti magnetik andai teknologi rekaman dominan pada awal 1970-an.[10] Dua jenis utama memori akal masuk acak RAM adalah ki kenangan akal masuk serampangan statik SRAM dan memori akses acak dinamis DRAM. SRAM bipolar dikembangkan oleh Robert Norman pecah Fairchild Semiconductor pada 1963,[7] yang dilanjutkan dengan pengembangan MOS SRAM oleh John Schmidt puas Fairchild pada 1964.[10] SRAM menjadi alternatif rekaman inti magnetik, sekadar memerlukan enam transistor MOS kerjakan setiap bit data.[15] Pemakaian membahu SRAM dimulai sejak 1965, saat IBM merilis chip SRAM SP95 bagi System/360 Abstrak 95.[7] Toshiba merilis sel memori DRAM bipolar lakukan kalkulator elektronik Toshiba Toscal BC-1411 pada 1965.[16] [17] Kendatipun lebih cepat ketimbang memori inti magnetik, DRAM bipolar lain dapat bersaing karena bertambah mahal.[18] Teknologi MOS yakni basis cak bagi DRAM bertamadun. Pada 1966, Dr. Robert H. Dennard di IBM Thomas J. Watson Research Center sedang meneliti memori MOS. Ketika menanyai karakteristik teknologi MOS, beliau menemukan bahwa teknologi MOS boleh digunakan bikin membuat kapasitor, dan bahwa menyimpan pikulan atau non-tanggung pada kapasitor MOS bisa menggantikan bit 1 dan 0, sementara itu transistor MOS dapat mengatur penulisan pikulan ke kapasitor. Ini berujung ke pengembangan tangsi memori DRAM transistor spesifik.[15] Pada 1967, Dennard mengajukan paten atas IBM untuk lembaga pemasyarakatan album DRAM transistor tunggal, yang berdasarkan teknologi MOS.[19] Ini berujung pada chip sirkuit terpadu DRAM komersial pertama, Intel 1103, pada Oktober 1970.[20] [21] [22] Chip memori akses acak dinamis sinkronis SDRAM permulaan, Samsung KM48SL2000, dirilis pada 1992.[23] [24] Kata ki kenangan lagi sering digunakan untuk memori non-volatil, atau memori flash buat lebih spesifik. Memori flash terbit bersumber memori hanya baca ROM. Album hanya baca boleh diprogram PROM dikembangkan maka itu Wen Tsing Chow pada 1956, ketika bekerja pada Divisi Arma pecah Korporasi Amerika Persekutuan dagang Bosch Arma.[25] [26] Pada 1967, Dawon Kahng dan Simon Sze dari Bell Labs mengusulkan bahwa gerbang mengambang perangkat semikonduktor MOS bisa digunakan lakukan sel ki kenangan hanya baca yang bisa diprogram ROM yang menembakkan Dov Frohman dari Intel bagi mengembangkan EPROM PROM nan dapat dihapus sreg 1971.[27] EEPROM PROM nan bisa dihapus dengan setrum dikembangkan oleh Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi, dan Kiyoko Ular besar pada Makmal Elektroteknikal pada 1972.[28] Sejarah flash dikembangkan oleh Fujio Masuoka pada Toshiba puas awal 1980-an.[29] [30] Masuoka dan temannya mempresentasikan penemuan flash NOR sreg 1984,[31] dan kemudian flash NAND pada 1987.[32] Toshiba mulai menjual ki kenangan flash NAND sreg 1987.[33] [34] [35] Pengembangan teknologi dan skala ekonomi memungkinkan pembuatan komputer jinjing “Very Large Memory” VLM Memori Suntuk Besar.[35] Memori volatil [sunting sunting sumur] Bermacam-macam modul sejarah kasatmata jenis-jenis DRAM berpokok atas ke bawah DDR SDRAM, SDRAM, EDO DRAM, dan FPM DRAM Ki kenangan volatil ialah memori komputer nan membutuhkan buku untuk menjaga informasi yang disimpan. Sebagian samudra memori semikonduktor volatil ialah RAM statik SRAM atau RAM dinamis DRAM. SRAM menjaga isinya sepanjang listrik dihubungkan dan lebih mudah lakukan interfacing, hanya memerlukan enam transistor per bit. RAM dinamis makin kompleks bikin intefacing dan supremsi, membutuhkan siklus penyegaran berkala kerjakan menjaga isinya, namun doang memerlukan satu transistor dan kapasitor per bit, memungkinkan kapasitas yang kian banyak dan harga per-bit yang jauh kian rendah.[1] [21] [35] SRAM tak bermanfaat bakal memori sistem desktop, dimana DRAM dominan, saja SRAM digunakan untuk memori cache. SRAM umum digunakan dalam sistem tertanam kecil embedded system, nan mungkin semata-mata memerlukan puluhan kilobyte maupun minus semenjak itu. Teknologi memori volatil nan mencoba adu cepat atau menggilir SRAM dan DRAM antara enggak Z-RAM dan A-RAM. Ki kenangan non-volatil [sunting sunting sendang] Album non-volatil adalah memori komputer jinjing nan dapat menjaga manifesto yang disimpan walaupun tidak dialiri listrik. Ideal album non-volatil antara lain memori semata-mata baca lihat ROM, rekaman flash, sebagian besar penyimpanan magnetik seperti hard disk drive, floppy disk, dan pita magnetik, cakram optis, dan penyimpanan komputer awal, seperti pita kertas dan punch card.[35] Teknologi memori non-volatil nan akan cak bertengger antara bukan FERAM, CBRAM, PRAM, STT-RAM, SONOS, RRAM, rekaman balapan, NRAM, 3D XPoint, dan sejarah millipede. Memori tunas-volatil [sunting sunting mata air] Kategori ketiga memori adalah memori “semi-volatil”. Kata ini digunakan lakukan mendeskripsikan album yang mempunyai durasi non-volatil yang terbatas setelah listrik diputus, tetapi kemudian data hilang. Tujuan umum untuk album recup-volatil adalah memberikan kinerja tinggi/sosi tahan tinggi/dll. yang terkait dengan memori volatil, bertepatan menyerahkan beberapa kepentingan album non-volatil sebenarnya. Misalnya, beberapa macam sejarah non-volatil bisa aus, dimana rumah tahanan “aus” lebih volatil hanya masih berkreasi. Lokasi data yang sayang ditulis dapat diarahkan untuk menggunakan sirkuit aus. Selama lokasi diperbarui dalam waktu retensi nan diketahui, data masih sah. Takdirnya waktu retensi “kadaluwarsa” tanpa perbaikan, skor disalin ke sirkuit dengan retensi yang makin lama. Batik ke area nan aus terlebih dahulu memungkinkan kecepatan penulisan yang tangga dan pergi pengausan aliran tidak aus.[36] Laksana contoh kedua, STT-RAM bisa dibuat non-volatil dengan membangun sel besar, namun harga saban bit dan daya nan diperlukan cak bagi menulis meningkat dan kelajuan penulisan menurun. Memperalat lembaga pemasyarakatan kecil mengurangi harga, penggunaan elektrik, dan mempercepat penulisan, tetapi berujung pada perilaku semi-volatil. Plong bilang permintaan, peningkatan volatilitas bisa dikelola lakukan memberikan beberapa keistimewaan memori non-volatil, misalnya memutus setrum namun memaksa ki kenangan cak bagi siuman sebelum data hilang; atau dengan menggudangkan cache data hanya baca dan membuang data cache jikalau waktu pematian melebihi ambang non-volatil.[37] Introduksi semi-volatil sekali lagi digunakan cak bagi mendeskripsikan perilaku taruk-volatil spesies album tak. Contohnya, ki kenangan volatil dan non-volatil bisa digabung, dimana sinyal eksternal menyalin data semenjak memori volatil ke sejarah non-volatil, tetapi kalau listrik diputus sonder penyalinan, datanya hilang. Atau, sebuah memori volatil dengan baterai, dimana jika listrik eksternal dimatikan, ada waktu tertentu dimana aki membagi kancing ke memori volatil, hanya kalau setrum dimatikan kerjakan waktu nan lama, aki akan habis dan data akan hilang.[35] Manajemen [sunting sunting mata air] Pengelolaan ki kenangan yang benar terlampau penting moga sistem komputer dapat berkarya semestinya. Sistem operasi modern mempunyai sistem kompleks bakal mencampuri rekaman dengan benar. Kesalahan boleh memicu bug/tuma, kinerja lambat, dan privat kasus terburuk, pengambilalihan oleh virus dan malware. Bug/tungau [sunting sunting sumber] Pengelolaan sejarah yang salah yaitu penyebab masyarakat bug, yang termasuk jenis di bawah Dalam luapan aritmatika, sebuah hasil kalkulasi lebih banyak daripada nan dibolehkan oleh memori yang dialokasikan. Misalnya, bilangan buntar 8-bit memungkinkan kredit −128 sampai +127. Jikalau nilainya 127 dan disuruh menambahkan satu, komputer tidak boleh menyimpan angka 128 sreg ruangnya. Kasus tersebut akan berujung pada operasi yang lain diinginkan, sama dengan menidakkan nilai poin ke −128 daripada +128. Kebocoran memori muncul ketika program meminta memori berbunga sistem operasi dan tidak pernah mengembalikan sejarah ketika sudah selesai. Program dengan bug ini akan memerlukan semakin banyak album kian waktu sampai program gagal karena kehabisan memori. Kesalahan segmentasi terjadi detik sebuah program mencoba mengakses memori yang tidak memiliki izin akses kerjakan programnya. Lazimnya, acara nan melakukannya akan dihentikan makanya sistem operasi. Luapan buffer artinya programa menulis data ke pengunci urat kayu yang dialokasi untuknya dan tetap batik data ke rekaman yang dialokasikan bagi pemakaian bukan. Ini bisa mengakibatkan perilaku programa nan aneh, antara lain kesalahan akal masuk memori, hasil yang salah, crash, atau pelanggaran keamanan sistem. Oleh karena itu, luapan buffer merupakan basis banyak kerentanan radas lunak dan dapat dieksploitasi secara keji. Sistem komputer semula [sunting sunting sumur] Pada sistem komputer awal, program kebanyakan menentukan lokasi penulisan ki kenangan dan data segala nan ditulis. Lokasi ini adalah lokasi tubuh lega perangkat keras memori sepantasnya. Pemrosesan komputer adv amat nan lambat tidak memungkinkan sistem manajemen memori kompleks yang digunakan ketika ini. Dan, karena kebanyakan sistem tersebut hanya menyajikan satu tugas secara berturut, sistem nan canggih lebih sedikit diperlukan. Metode ini terserah kelemahannya. Kalau lokasi yang ditentukan salah, ini akan menyebabkan komputer untuk batik datanya ke bagian program tidak. Hasil kesalahan demikian ini tidak boleh diprediksi. Dalam sebagian kasus, data nan keseleo kelihatannya menimpa sejarah yang digunakan maka itu sistem operasi. Cracker computer dapat memanfaatkan ini untuk menciptakan menjadikan virus dan malware. Rekaman virtual [sunting sunting perigi] Ki kenangan virtual ialah sistem dimana semua rekaman fisik dikelola oleh sistem usaha. Ketika sebuah program membutuhkan memori, ia memintanya dari sistem operasi. Sistem operasi kemudian memilih lokasi fisik cak bagi meletakkan kode dan data program. Ini memberikan banyak manfaat. Programmer komputer tidak perlu hilang akal dimana datanya disimpan ataupun apakah komputer pengguna memiliki memori yang cukup. Ini lagi memungkinkan bilang jenis album untuk digunakan secara bersamaan. Contohnya, sejumlah data bisa disimpan internal chip RAM badan, dan data lain disimpan internal hard drive atau kerumahtanggaan swapfile, yang berfungsi perumpamaan perpanjangan janjang cache. Ini sangat meningkatkan album yang ada untuk program-acara. Sistem persuasi akan meletakkan data yang sering digunakan di RAM fisik, yang lebih cepat daripada hard disk. Ketika kapasitas RAM enggak cukup bikin menjalankan semua programa detik ini, komputer bisa memakan lebih banyak waktu memindahkan data pecah RAM ke disk dan sebaliknya daripada mengamalkan tugas; ini dikenal sebagai thrashing. Memori terproteksi [sunting sunting sumber] Memori terproteksi adalah sebuah sistem dimana setiap program diberikan area rekaman sendiri dan tidak diperbolehkan buat keluar dari area ini. Pemanfaatan memori terproteksi sangat meningkatkan keandalan dan keamanan sistem komputer. Tanpa memori terproteksi, bug kerumahtanggaan sebuah program boleh menafsirkan album yang digunakan maka dari itu program lain. Ini akan menyebabkan programnya bikin keluar berpangkal memori yang dikorupsi dengan hasil nan tidak diduga. Jikalau memori sistem kampanye dikorupsi, seluruh sistem komputer boleh mandek dan harus dihidupkan pun. Kadang-kadang, program sengaja memungkirkan memori nan digunakan maka dari itu program lain. Ini dilakukan oleh virus dan malware untuk mengambilalihkan komputer. Ini pun bisa digunakan buat program yang diinginkan nan digunakan lakukan meniadakan acara lain; dalam era beradab, ini biasanya dianggap ibarat perilaku pemrograman buruk untuk program permohonan, tetapi mana tahu digunakan maka itu perlengkapan pengembangan sistem, sebagaimana debugger, misalnya kerjakan menjaringkan breakpoint atau hook. Memori terproteksi memasrahkan programa area memori mereka sendiri. Jika sistem operasi mendeteksi program yang mengepas menyangkal ki kenangan yang tidak diberikan untuknya, programnya dihentikan atau dibatasi maupun dialihkan. Dengan cara ini, yang mengadat saja acara pelanggar, dan program lain tidak terpengaruh makanya kesalahannya baik enggak disengaja atau disengaja. Sistem album terproteksi sanding pelalah menyertakan memori virtual. Lihat sekali lagi [sunting sunting perigi] Geometri album Hierarki sejarah Penyelenggaraan rekaman Register prosesor menggudangkan data sekadar biasanya tidak dikatakan sebagai memori, karena mereka hanya boleh menyimpan suatu kata dan lain menyertakan mekanisme alamat. Memori semikonduktor Unit informasi Coretan [sunting sunting sumber] Wacana [sunting sunting sumber] ^ a b Hemmendinger, David 15 Februari 2016. “Computer memory” [Rekaman komputer]. Encyclopedia Britannica . Diakses tanggal 16 Oktober 2019. ^ Turing and Brooker 1952. Programmer’s Handbook for Manchester Electronic Computer Mark II Buku Jalan hidup Programmer bikin Manchester Electronic Computer Mark II Diarsipkan 2014-01-02 di Wayback Machine.. Universitas Manchester. ^ “The MOS Memory Market” [Pasar Memori MOS] PDF. Integrated Circuit Engineering Corporation. Smithsonian Institution. 1997. Diakses tanggal 16 Oktober 2019. ^ “MOS Memory Market Trends” [Tren Pasar Memori MOS] PDF. Integrated Circuit Engineering Corporation. Smithsonian Institution. 1998. Diakses tanggal 16 Oktober 2019. ^ a b “1960 – Ferum Oxide Semiconductor MOS Transistor Demonstrated” [1960 – Transistor Surat berharga-Medan Semikonduktor Metal-Oksida Didemonstrasikan]. The Silicon Engine. Computer History Museum. ^ “1953 Whirlwind computer debuts core memory” [1953 Komputer Whirlwind merilis album inti]. Computer History Museum . Diakses tanggal 2 Agustus 2019. ^ a b c d e f “1966 Semiconductor RAMs Serve High-speed Storage Needs” [1966 RAM Semikonduktor Melayani Keperluan Penyimpanan Cepat]. Computer History Museum . Diakses tanggal 19 Juni 2019. ^ “1953 Transistors make fast memories The Storage Engine Computer History Museum” [1953 Transistor membentuk sejarah nan cepat Mesin Penyimpanan Museum Sejarah Komputer]. . Diakses copot 2019-11-14 . ^ Orton, John W. 2009. Semiconductors and the Information Revolution Magic Crystals that made IT Happen [Semikonduktor dan Rotasi Informasi Kristal Ajaib yang membuat-NYA Terjadi]. Academic Press. hlm. 104. ISBN 978-0-08-096390-7. ^ a b c d “1970 MOS Dynamic RAM Competes with Magnetic Core Memory on Price” [1970 RAM MOS Dinamis Bersilaju dengan Memori Inti Magnetik plong Harga]. Computer History Museum . Diakses tanggal 29 Juli 2019. ^ Solid State Design – Vol. 6 [Desain Solid-State – Vol. 6]. Falak House. 1965. ^ Wood, J.; Ball, R. Februari 1965. “The use of insulated-gate field-effect transistors in digital storage systems” [Penggunaan transistor efek-medan gerbang terisolasi dalam sistem penyimpanan digital]. 1965 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. VIII 82–83. doi ^ “1968 Silicon Gate Technology Developed for ICs” [1968 Teknologi Pintu Silikon Dikembangkan lakukan Diseminasi Terpadu]. Computer History Museum . Diakses rontok 10 Agustus 2019. ^ Critchlow, D. L. 2007. “Recollections on MOSFET Scaling” [Rekoleksi Penskalaan MOSFET]. IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter. 12 1 19–22. doi . ^ a b “DRAM”. IBM100. IBM. 9 Agustus 2017. Diakses tanggal 20 September 2019. ^ “Spec Sheet for Toshiba “TOSCAL” BC-1411″ [Lembar Spesifikasi bikin Toshiba “TOSCAL” BC-1411]. Old Calculator Web Museum. Diarsipkan berusul versi tahir tanggal 3 Juli 2017. Diakses tanggal 8 Mei 2018. ^ Toshiba “Toscal” BC-1411 Desktop Calculator Kalkulator Desktop Toshiba “Toscal” BC-1411 Diarsipkan 2007-05-20 di Wayback Machine. ^ “1966 Semiconductor RAMs Serve High-speed Storage Needs” [1966 RAM Semikonduktor Menyervis Kebutuhan Penyimpanan Cepat]. Computer History Museum. ^ “Robert Dennard”. Encyclopedia Britannica . Diakses tanggal 8 Juli 2019. ^ “Intel 35 Years of Innovation 1968–2003” [Intel 35 Periode Inovasi 1968–2003] PDF. Intel. 2003. Diakses tanggal 26 Juni 2019. ^ a b The DRAM memory of Robert Dennard Album DRAM Robert Dennard ^ Lojek, Bo 2007. History of Semiconductor Engineering [Sejarah Teknik Semikonduktor]. Springer Science & Business Media. hlm. 362–363. ISBN 9783540342588. i1103 dibuat dengan proses P-MOS 6-masker dengan mininum fitur 8 μm. Hasil produk memiliki 2 sel sejarah saban berukuran µm, ukuran tempaan dibawah 10 mm², dan dijual bikin $21. ^ “KM48SL2000-7 Datasheet” [Lembar Data KM48SL2000-7]. Samsung. August 1992. Diakses copot 19 Juni 2019. ^ “Electronic Design” [Desain Elektronik]. Electronic Design. Hayden Publishing Company. 41 15–21. 1993. DRAM sinkronis komersial pertama, Samsung 16-Mbit KM48SL2000, mengunakan arsitektur bank tunggal yang memungkinkan desainer sistem untuk beralih dari sistem asinkronis ke sistem sinkronis dengan mudah. ^ Han-Way Huang 5 Desember 2008. Embedded System Design with C805 [Desain Sistem Terpatri dengan C805]. Cengage Learning. hlm. 22. ISBN 978-1-111-81079-5. Diarsipkan dari varian kudus tanggal 27 April 2018. ^ Marie-Aude Aufaure; Esteban Zimányi 17 Januari 2013. Business Intelligence Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures [Kecendekiaan Jual beli Sekolah Periode Panas Eropa Kedua, eBISS 2012, Brussel, Belgia, 15-21 Juli, 2012, Ceramah Latihan]. Springer. hlm. 136. ISBN 978-3-642-36318-4. Diarsipkan dari versi ceria rontok 27 April 2018. ^ “1971 Reusable semiconductor ROM introduced” [1971 ROM semikonduktor nan bisa digunakan kembali dirilis]. Computer History Museum . Diakses tanggal 19 Juni 2019. ^ Tarui, Y.; Hayashi, Y.; Nagai, K. 1972. “Electrically reprogrammable nonvolatil semiconductor memory” [Memori semikonduktor non-volatil bisa diprogram melewati setrum]. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 7 5 369–375. Bibcode1972IJSSC…7..369T. doi ISSN 0018-9200. ^ Fulford, Benjamin 24 June 2002. “Unsung hero” [Pahlawan tanpa medali]. Forbes. Diarsipkan dari varian ikhlas tanggal 3 March 2008. Diakses tanggal 18 March 2008. ^ US 4531203 Fujio Masuoka ^ “Toshiba Inventor of Flash Memory” [Toshiba Penemu Memori Flash]. Toshiba . Diakses terlepas 20 June 2019. ^ Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. 1987. “New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell” [EPROM terlampau padat dan flash EEPROM dengan struktur sel NAND baru]. Electron Devices Meeting, 1987 International. IEDM 1987. IEEE. doi ^ “1987 Toshiba Launches NAND Flash” [1989 Toshiba Meluncurkan Flash NAND]. eWeek. 11 April 2012. Diakses tanggal 20 Juni 2019. ^ “1971 Reusable semiconductor ROM introduced” [1971 ROM semikonduktor yang bisa digunakan kembali dirilis]. Computer History Museum . Diakses tanggal 19 Juni 2019. ^ a b c d e Stanek, William R. 2009. Windows Server 2008 Inside Out [Windows Peladen 2008 di Asing dan di Intern]. O’Reilly Kendaraan, Inc. hlm. 1520. ISBN 978-0-7356-3806-8. Diarsipkan berasal versi asli sungkap 2013-01-27. Diakses tanggal 2012-08-20 . […] Windows Server Enterprise membantu penklasteran sampai klaster 8-node dan konfigurasi ki kenangan sangat lautan sampai 32 GB pada sistem 32-bit dan 2 TB puas sistem 64-bit. ^ Montierth, Briggs, Keithley. “Semi-volatile NAND flash memory” [Sejarah flash NAND tunas-volatil]. Diakses tanggal 20 Mei 2018. ^ Keppel, Naeimi, Nasrullah. “Method and apparatus for managing a spin transfer torque memory” [Metode dan apparatus untuk menggapil memori spin transfer torque]. Google Patents . Diakses sungkap 20 Mei 2018. Wacana lanjur [sunting sunting sumber] Miller, Stephen W. 1977, Memory and Storage Technology, Montvale. AFIPS Press Memory and Storage Technology, Alexandria, Virginia. Time Life Books, 1988 Z1eBLgm.
  • a8198e8qvq.pages.dev/983
  • a8198e8qvq.pages.dev/299
  • a8198e8qvq.pages.dev/184
  • a8198e8qvq.pages.dev/221
  • a8198e8qvq.pages.dev/19
  • a8198e8qvq.pages.dev/795
  • a8198e8qvq.pages.dev/600
  • a8198e8qvq.pages.dev/399
  • a8198e8qvq.pages.dev/331
  • a8198e8qvq.pages.dev/412
  • a8198e8qvq.pages.dev/214
  • a8198e8qvq.pages.dev/548
  • a8198e8qvq.pages.dev/381
  • a8198e8qvq.pages.dev/908
  • a8198e8qvq.pages.dev/588
  • berikut ini merupakan memori komputer yang bersifat volatile adalah